会社員時代の公開資料、論文、特許

フェニテックセミコンダクター在籍時公開資料

フェニテックセミコンダクター（株）鹿児島工場（旧ヤマハ鹿児島セミコンダクタ）の再生
パワー半導体（Si-Power MOS, IGBT, Super Junction MOS, SiC-SBD）受託生産の拠点
ヤマハ鹿児島セミコンダクタは、私が1999年まで在籍したヤマハ（株）の半導体生産子会社。
当時、メンバーの一人として開発に携わった0.35ミクロンCMOSプロセスの量産工場。2015年にフェニテックが譲受。

サムコ在籍時公開資料

・平成27年に「にいがたナノ基盤技術実践会」で、「MEMS製造におけるプラズマ加工技術の役割」を講演しました。 

ローム在籍時公開資料

・SiC事業の立上げに携わりました。
・家庭用LED照明事業の立上げに携わりました。
・2011年東日本大震災とタイの大洪水の復旧後にBCPを見直しました。

研究論文リスト

学位論文

　　　VLSIデバイスにおける多層配線の信頼性に関する研究　博士(工学), 東北大学, 1998年3月.

査読付論文　８報

１．T. Yamaha, and F. Masuoka, “Influence of Retarding Hydrogen Diffusion in Boron Phosphosilicate Glass on Annealing Damage of Metal‐Oxide Semiconductor Transistors”, Journal of The Electrochemical Society, Vol.146, No.8, pp.3065-3069, 1999.

２．T. Yamaha and M. Naito, “Electromigration Characteristics of Sputtered TiN/Ti/AlSiCu/TiON/Ti Interconnects with Aluminum Reflow”, Journal of The Electrochemical Society, Vol.143, No.10, pp.3297-3301, 1996.

３．T. Yamaha, M. Naito and T. Hotta, “Roles of Cap‐Metal on Via Electromigration Resistance in Aluminum‐Based Interconnections”, Journal of The Electrochemical Society, Vol.143, No.3, pp.1043-1049, 1996.

４．T. Yamaha, Y. Inoue, O.Hanagasaki and T. Hotta, “Field Inversion Induced by Water from Outside in a Spin‐on‐Glass Nonetchback Complementary Metal Oxide Semiconductor Process”, Journal of The Electrochemical Society, Vol.142, No.9, pp.3132-3136, 1995.

５．T. Yamaha, Y. Inoue, T.Fujioka, O.Hanagasaki and T. Hotta, “Enhanced Hot‐Carrier Degradation Due to Water‐Related Species in Plasma‐Enhanced Tetraethoxysilane Oxide”, Journal of The Electrochemical Society, Vol.142, No.8, pp.2743-2747, 1995.

６. T. Yamaha, M. Naito and T. Hotta, “Via Electromigration Characteristics in Aluminum Based Multilevel Interconnection”, IEICE Trans. Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences   Vol.E77-A    No.1    pp.187-194, 1994.

７．山葉 隆久, 藤岡 俊夫, 花ヶ崎 治, 佐藤 啓吉, 堀田 正彦, “ビアコンタクトに与えるWSiバリアメタルの影響”, 電気化学および工業物理化学, 59 巻 2 号 pp. 145-148, 1991.

８．T. Kyotani, T. Yamaha, Y. Tamai and S. Aoyama, “Relation Between Shear Relaxation and Molecular Structure of Lubricating Oils”, ASLE Trans., vol.28, No.3, pp.374-380, 1985.

査読付著名国際学会の発表

１．T. Yamaha, M. Naito and T. Hotta, “Three kinds of via electromigration failure mode in multilevel interconnections”, Proc. IEEE Reliability Physics Symposium, p.349 (1992).

２．R. Kuroda, K. Watanabe, A. Teramoto, M. Mifuji, T. Yamaha, S. Sugawa and T. Ohmi, “Accurate circuit performance prediction model and lifetime prediction method of NBT stressed devices for highly reliable ULSI circuits”, IEEE International Electron Devices Meeting, 2005. Technical Digest., 2005, pp. 700-703.

特許リスト

いずれも職務発明。2022年10月30日時点で登録が確認できた特許のみ。
①日本国特許　34件登録
1870391, 2131760, 2705193, 2705294, 2757780, 2797994, 2861583, 2893794, 2894165, 2897313, 2940432, 2950218, 2974022, 3070450, 3099406, 3123449, 3125781, 3132208, 3149739, 3158749, 3159108, 3225872, 3225879, 3277855, 3498619, 3613768, 3697776, 3767522, 3793995, 4375280, 5016286, 5117112, 5214913, 5604029,
②US Patent　34件登録
Patent number: 5036382, 5428251, 5593925, 5629557, 5641993, 5705429, 5716869, 5733797, 5750403, 5763936, 5786625, 5786638, 5793110, 5821162, 5885857, 5904576, 5997754, 5998814, 6060390, 6080652, 6146998, 6150720, 6251805, 6297563, 6541373, 6555465, 6888183, 6921714, 7067928, 7211902, 8022472, 8125084, 8164160, 8237221